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Rev. Phys. Appl. (Paris) 17, 405-413 (1982)
DOI: 10.1051/rphysap:01982001707040500

Etude du dopage de l'arséniure de gallium par la technique d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques

G. Keil, M. Le Métayer, A. Cuquel et D. Le Pollotec

Centre National d'Etudes Spatiales, 18, avenue Edouard Belin, 31055 Toulouse Cedex, France


Abstract Pompiers Lego® Ville 10901 Camion Duplo Le Ma De UzqVSpM
The doping of gallium arsenide layers grown by the trimethylgallium/arsine method has been studied for germanium, tin, selenium and zinc doping. We obtained n and p type layers doped between 5 x 1016 and 3 x 10 18 cm-3. In the growth conditions described, the values of Hall mobilities μn measured are between 2 700 and 3 900 cm 2. V-1. s-1 and μp between 105 and 320 cm2. V-1. s-1 and are in good agreement with those obtained by the other techniques.


Résumé
Des couches d'arséniure de gallium épitaxiées par la technique de croissance aux organométalliques ont été dopées par le germanium, l'étain, le sélénium et le zinc. L'étude de l'incorporation de ces éléments en fonction des paramètres de croissance nous permet d'ajuster le niveau de dopage entre 5 x 10 16 et 3 x 1018 cm-3 tant en type n qu'en type p. Les valeurs de mobilité obtenues dans cette gamme (μn compris entre 2 700 et 3 900 cm2. V-1. s-1 et μ p compris entre 105 et 320 cm2. V-1. s-1 ) attestent que les matériaux élaborés présentent une bonne qualité électronique.

PACS
6170T - Doping and implantation of impurities.
6170W - Impurity concentration, distribution, and gradients.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7220M - Galvanomagnetic and other magnetotransport effects semiconductors/insulators.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
8115G - Vacuum deposition.
2520D - II VI and III V semiconductors.
2550B - Semiconductor doping.

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-- GaAs:Zn -- III V semiconductor -- vapour phase epitaxy -- organometallics -- trimethylgallium arsine method -- Hall mobilities

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